小于 1 纳米：新技术让微型芯片成为可能

为了规避光刻工艺的技术限制，晶体结构中的缺陷被用作栅极。 研究人员在二维二硫化钼晶体的镜像结构之间找到了他们想要的东西。

这正是一个仅有 0.4 纳米（即 400 皮米）的一维间隙产生的地方，也就是勉强超过三个硅原子的地方。 通过一个分子一个分子地构建这种结构，可以使其比以前缩小近十倍。

根据这一尺寸，可以制造出长度为 3.9 纳米的晶体管，尽管目前只是理论上的。这相当于 3 纳米制造工艺的六分之一，或表面积的三十分之一。

根据技术实现的时间，芯片开发的时间表可能会得到极大的推进。 虽然 2 纳米应在 2025 年实现，但假设 0.5 纳米的分辨率要到 2037 年才能实现。

因此，摩尔定律可能在相当长的一段时间内继续适用。