台湾放宽技术限制,台积电获准在美国生产 2 纳米芯片
台湾经济部已解除禁令。这项禁令曾一度阻止台积电在其海外工厂生产 2 纳米芯片。这一政策变化标志着旧法规的重大突破,旧法规坚持国外生产至少要比国内落后两代。
"这些都是旧时代的规定。时代已经变了,"经济部长郭台铭在一次媒体吹风会上说。"私营企业应该根据自己的技术进步做出自己的商业决定。
此举与台积电在亚利桑那州的扩张相辅相成,总投资额可能超过 650 亿美元。该公司在亚利桑那州的第二座晶圆厂将于2028年开始生产2纳米和3纳米芯片,而第一座晶圆厂将于2025年初开始生产4纳米芯片。
台积电在亚利桑那州的第三座工厂将于本世纪末竣工,目标是 2 纳米或更先进的工艺。郭台铭部长表示,尽管新规则已经出台,但台积电仍将谨慎投资 280 亿至 300 亿美元建设 2 纳米工厂。
这一政策转变是台湾支撑全球芯片供应链大目标的一部分。明年,经济部将重点关注与美国、德国、日本和菲律宾的合作。他们还计划在日本福冈设立一个办事处,为台积电即将在熊本设立的厂址附近的半导体相关公司提供支持。
这一转变正值台湾修改其 "硅盾 "战略之际,该战略最初将台湾的尖端芯片生产严格控制在国内,以保持技术优势。政府认识到半导体领域正在发生变化,尤其是全球 60% 的芯片设计公司都在美国。
资料来源
台北时报(英文)
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