英飞凌首次推出厚度为 20 微米的全球最薄硅晶片

英飞凌科技公司宣布在半导体制造领域取得重大突破--他们制造并加工出了超薄的 300 毫米硅功率晶片。这些晶片的厚度仅为 20 微米，与人的头发丝宽度相当，在大幅提高性能和效率的同时，也创造了新的薄度记录。

这些由英飞凌开发和生产的创新晶圆厚度仅为目前行业标准（40-60 微米）的一半。通过减去多余的厚度，他们将基板电阻降低了 50%，与传统硅晶片相比，功率损耗降低了 15%。

要达到 20 微米的厚度并非易事。英飞凌的工程师们必须克服一系列技术难题。他们设计了一种新的晶圆研磨方法，以处理将芯片固定在晶圆上的金属叠层--这种叠层实际上比 20 微米更厚。此外，他们还必须在后端组装过程中处理晶圆弯曲和分离等问题，确保晶圆在适应英飞凌现有大批量生产线的同时保持坚固。

这种超薄晶圆技术已经在英飞凌用于 DC-DC 转换的集成智能功率级中进行了测试和推广，并已交付给客户。公司预计这种节能设计将在未来三到四年内取代现有的低压电源转换器晶片。

英飞凌计划在 11 月 12 日至 15 日于慕尼黑举行的 2024 年电子展上向公众展示这种超薄硅晶片。