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据报道,三星晶圆代工厂的第二代 3 纳米节点良率仅为 20

三星晶圆代工厂的 3 纳米节点仍存在问题(图片来源:三星)
三星晶圆代工厂的 3 纳米节点仍存在问题(图片来源:三星)
三星晶圆代工厂(Samsung Foundry)在提高第二代 3 纳米节点(3 GAP)的良率方面并没有取得多大成功。显然,它们的良品率仍然只有 20%,不足以进行大规模生产。
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尽管 Exynos 2500 在 Geekbench 但它不太可能用于 Galaxy S25或Galaxy S25 Plus 中使用。这可能是因为三星用于制造智能手机 SoC 的 3GAP 节点的良品率仍然存在问题。韩国媒体Sisa Journal 的一篇报道的报道描绘了当前的严峻形势。

报道称,三星第二代 3 纳米节点的良品率为 20%。这一数字在今年早些时候被 另一份报告.虽然三星表示正在努力提高 3 GAP 的良品率,但收效甚微。当然,《Sisa Journal》报道的 20% 的数字可能是基于旧数据,但显然还不足以为量产开绿灯。

另一方面,三星的第一代 3 纳米节点 3 GAA 的表现稍好,达到了 60%。遗憾的是,它几乎没有引起主要厂商的兴趣,唯一的客户是一家加密货币 ASIC 制造商。对上一代节点的需求也没好到哪里去,导致 三星多达 50% 的设备停产。

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Anil Ganti, 2024-11- 7 (Update: 2024-11- 7)