三星晶圆代工厂的第二代 3 纳米节点据称受到低产量的困扰
三星 早些时候确认其首款 3 纳米智能手机 SoC 采用了第二代 3 纳米工艺 (SF3GAP)。人们普遍认为它是下一代 Exynos 2500将为 Galaxy S25系列。不过，韩国新闻媒体Dealsite 的报道称，由于它的产量仍然很低，因此距离量产可能还需要一段时间。(通过@Revegnus1X）。
目前，三星 3GAP 节点的良品率约为 20%，这意味着晶圆上每 10 个芯片中就有 8 个存在缺陷。这远远低于早前一份报告中强调的 50%的数字。 同一出版物的 50%。不过，该报告并没有说明是 3GAP 还是原来的 3GAA。另一方面，台积电的 N3B 节点似乎要好一些 产量约为 55.遗憾的是，目前还没有关于其后继者 N3E 的消息。
不过，20% 的良率还是低得令人担忧，三星在开始量产 Exynos 2500 和其他任何芯片之前，还有很多工作要做。 其他使用还有很多工作要做。Digitimes 的一份报告称称，三星将于 2024 年下半年开始大批量生产 Exynos 2500。理想情况下，这应该会带来更多的工艺改进和更好的产量。
