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三星晶圆代工厂的第二代 3 纳米节点据称受到低产量的困扰

Samaung 仍在努力解决其 3 纳米节点的良率问题(图片由 DAL-E 3.0 生成)
Samaung 仍在努力解决其 3 纳米节点的良率问题(图片由 DAL-E 3.0 生成)
根据韩国一家新闻媒体的报道,三星晶圆代工厂的尖端 SF3GAP 节点的良品率仅为 20%。它将在今年晚些时候用于生产 Exynod 2500。
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三星 早些时候确认其首款 3 纳米智能手机 SoC 采用了第二代 3 纳米工艺 (SF3GAP)。人们普遍认为它是下一代 Exynos 2500将为 Galaxy S25系列。不过,韩国新闻媒体Dealsite 的报道称,由于它的产量仍然很低,因此距离量产可能还需要一段时间。(通过@Revegnus1X)。

目前,三星 3GAP 节点的良品率约为 20%,这意味着晶圆上每 10 个芯片中就有 8 个存在缺陷。这远远低于早前一份报告中强调的 50%的数字。 同一出版物的 50%。不过,该报告并没有说明是 3GAP 还是原来的 3GAA。另一方面,台积电的 N3B 节点似乎要好一些 产量约为 55.遗憾的是,目前还没有关于其后继者 N3E 的消息。

不过,20% 的良率还是低得令人担忧,三星在开始量产 Exynos 2500 和其他任何芯片之前,还有很多工作要做。 其他使用还有很多工作要做。Digitimes 的一份报告称称,三星将于 2024 年下半年开始大批量生产 Exynos 2500。理想情况下,这应该会带来更多的工艺改进和更好的产量。

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Anil Ganti, 2024-05-20 (Update: 2024-05-20)