骁龙8代3：泄露高通公司下一代旗舰SoC的时钟速度和核心配置信息

看起来高通公司不太可能发布骁龙8+2代作为中期更新的产品。 骁龙8代2.相反，该公司似乎已经在开发下一代的骁龙8代3，现在有一个新的泄漏点为该旗舰芯片组提供了更多信息。

正如泄密者RGcloudS所透露的，骁龙8代3将保持其前辈的1+4+3核心配置。 与之前的传言相反声称将改用1+5+2的配置。骁龙8代看起来准备在台积电的N4P 4纳米节点上制造。 正如我们之前报道的那样Apple ，A17 Bionic将是今年唯一采用3纳米工艺制造的旗舰芯片组，而骁龙8代4预计将在明年赶上。

据推测，骁龙8代3将采用Cortex X4主核。在三星的骁龙8代3中，这个主核的时钟速度可能被提升到3.72 GHz，Galaxy 。据称，它将与Cortex-A715和新的Cortex-A515内核一起。不过，这些内核的潜在时钟速度目前还不清楚。在任何情况下，这些都是早期的，你最好带着一撮盐来看待这一切。

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