新传言揭示高通骁龙 8 代 4 的功耗
现在 骁龙8第3代和 骁龙8代3Galaxy和骁龙8代3的发布，现在是时候关注高通公司今年晚些时候为我们准备的产品了：骁龙8代4 骁龙 8 代 4(SM8750）。到目前为止、 泄露的信息显示它将配备 6 个 Phoenix L 和 2 个 Phoenix M CPU 内核。高通公司内部将其 代号为 Sun如果一些关于其功耗的传言属实的话，那么它被命名为 "Sun "也是理所当然的。
韩国技术论坛DCInside 上的一个帖子称，它的高性能内核之一是 "Sun"。 上的一篇帖子称，它的一个高性能内核功耗高达5.47瓦。两个内核的总功耗则高达 9.32 瓦。这些是高通公司新推出的 Nuvia(可能是 Phoenix L）内核，而不是现成的 Arm Cortex 变体。同样，Phoenix M 内核在受压时的功耗为 1.1 瓦。在全内核工作负载中，骁龙 8 代 4 的功耗高达 14.2 瓦。
这些数据是在早期的骁龙 8 代 4 工程样品上测得的，在发布前的几个月内可能会有变化。对于智能手机而言，14 瓦的功耗有点过高，需要强大的冷却解决方案来控制热量。再加上台积电的 N3E 工艺提高了晶体管密度。 台积电的 N3E 工艺将为骁龙 8 代 4 提供所需的竞争优势，以对抗 联发科 Dimensity 9400和三星基于 3GAP 的 Exynos 2500.
资料来源
