三星 8 层 HBM3E 芯片克服发热和功耗障碍，获得 Nvidia 批准

三星电子（Samsung Electronics）的 8 层 HBM3E 内存芯片成功通过了 Nvidia 的严格测试，成为快速发展的 AI 芯片行业的关键供应商。HBM 即高带宽内存，是一种专用的 DRAM，旨在以闪电般的速度处理海量数据。它是为人工智能应用所需的复杂计算提供动力的关键组件。HBM3E 是最新的迭代产品，其性能和能效甚至高于 HBM3。

获得 Nvidia 的批准对三星来说是一个障碍，因为三星之前在其 HBM 芯片的发热量和功耗方面遇到了挑战。的发热和功耗方面的挑战。随着人工智能应用的要求越来越高，该公司已经解决了这些问题，以达到 Nvidia 的标准。三星与 SK 海力士和 美光正竞相满足这一需求。

虽然三星的 12 层 HBM3E 芯片仍在评估中，但无论如何，8 层版本的批准都是该公司向前迈出的一步。Nvidia最近也批准了三星的第四代高带宽内存芯片 HBM3。不过，路透社此前曾指出，这种芯片很可能只用于 中国专用的 Nvidia 显卡.