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俄罗斯正在开发可与 ASML 技术相媲美的 11.2 纳米 EUV 光刻系统

俄罗斯发布雄心勃勃的 EUV 光刻技术发展路线图,波长为 11.2 纳米(图片来源:DALL-E 3)
俄罗斯发布雄心勃勃的 EUV 光刻技术发展路线图,波长为 11.2 纳米(图片来源:DALL-E 3)
俄罗斯正在开发自己的 EUV 光刻技术,波长为 11.2 纳米,与 ASML 既定的 13.5 纳米标准不同。该项目由科学家尼古拉-奇哈洛(Nikolay Chkhalo)领导,旨在制造出比 ASML 更具成本效益、吞吐量更低的机器。
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俄罗斯正准备在https://www.cnews.ru/news/top/2024-12-13_v_rossii_razrabotali_dorozhnuyu俄罗斯正在准备制造自己的极紫外光(EUV)光刻机。不过,俄罗斯采用的是波长为 11.2 纳米的不同技术,而不是 ASML 系统更常用的 13.5 纳米波长。俄罗斯科学院微结构物理研究所的尼古拉-奇哈洛(Nikolay Chkhalo)是这项研究的带头人,他希望制造出更便宜、更简单的光刻设备。

这些新的俄罗斯超紫外设备将使用以氙为动力的激光器,摒弃了 ASML 基于锡的方法。Chkhalo 声称,这种 11.2 nm 波长的激光可将分辨率提高 20%,在降低制造成本的同时,还能使光学设计变得更容易。此外,他们的目标是减少光学元件中的污染,这将有助于关键部件(如收集器和保护层)的使用寿命更长。

以下是该计划的三个步骤:

  • 从研究开始:掌握基本技术并测试组件。
  • 制造原型:一台每小时可处理 60 个 200 毫米晶片的机器。
  • 扩大规模:生产就绪的系统,每小时可处理 60 个 300 毫米晶圆。

尽管如此,这些机器的速度不会像 ASML 的机器那么快。它们使用 3.6 千瓦的光源,运行速度约为 ASML 吞吐量的 37%。虽然这对于大批量生产来说并不理想,但对于小规模生产来说已经足够了。

改用 11.2 纳米波长意味着他们需要创建一个全新的生态系统,如特殊反射镜、涂层、掩膜设计和光刻胶。即使是芯片设计软件工具也需要进行大量返工,尤其是掩膜数据准备和光学校正。

他们还没有确定这些开发步骤的时间表,但专家们认为,建立一个完整的光刻生态系统可能需要十年或更长的时间。他们也没有透露这些新工具将支持哪些工艺节点。

资料来源

CNews俄语

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Nathan Ali, 2024-12-22 (Update: 2024-12-22)