Apple iPhone 16 和 iPhone 16 Plus 将采用台积电 N3E 制造的速度更快的 A17 Pro，但可能会牺牲效率

iPhone iPhone 15 系列虽然 iPhone 15 系列还未出炉，但有关Apple 明年 iPhone 计划的花边新闻已经传了很久。众所周知，今年的 Pro SoC 将用于明年的非 Pro 机型，但我们也了解到，Apple 将使用增强的 A17 ProSoC 。

A17 Pro 是全球首款 3 纳米 SoC。iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max 也是首批配备 8 GB 内存的 iPhone。香港海通国际证券公司（Haitong International Securities）分析师杰夫-普（Jeff Pu）认为，明年的 iPhone 16 和 iPhone 16 Plus 很可能会配备 A17 Pro 和 8GB LPDDR5 内存。

MacRumors 获得的 Pu 的投资者说明称，A17 Pro 和 A18 Pro（？）将采用台积电的 N3E 工艺制造，这是一种增强型 3 纳米节点。这与 A17 Pro 目前使用的 N3B 工艺相比，略有变化。

从 N3B 工艺转向 N3E 工艺应该会带来相当大的性能提升，但也会带来一些效率损失。这可能是由于极紫外（EUV）层较少，而且与 N3B 相比，N3E 的晶体管密度较低。

N3B 更像是为Apple 创建的测试平台，但它与即将推出的台积电 3 纳米工艺（如 N3P、N3X 和 N3S）不兼容。这意味着Apple 必须重新设计 A17 Pro，使其适用于 N3E 工艺，即创建一个名称相同的新 SoC。

据认为，Apple 最初盯上的是用于 A16 Bionic 的 N3B 工艺。 A16 Bionic但由于技术延误，不得不选择 N4。因此，Apple 现在有可能将 N3B 用于首批 A17 Pro 芯片，并计划最终在 2024 年转用 N3E。如果 早期的 A17 Pro 基准测试Apple 会很乐意接受一些急需的性能提升，而不是效率上的轻微折衷。

尽管如此，iPhone 16 的传闻并不新鲜。此前，我们已经看到 迹象表明Apple 酝酿为自拍摄像头打孔，而所有的 Face ID 技术都将隐藏在显示屏下方。

2024 年的 iPhone 16 Pro 机型也将 预计将在Apple 在 iPhone 15 Pro Max 上引入的潜望镜式镜头设计，并推出更大的 6.9英寸Ultra机型.