CXMT 突飞猛进：中国公司提前两年开始生产 HBM2

据报道，中国著名内存制造商长新半导体（CXMT）已开始量产其第二代高带宽内存（HBM2）。据DigiTimes 报道报道，这一发展标志着中国半导体行业的一个重要里程碑，比原计划提前了约两年。

CXMT 已从美国和日本供应商处采购了生产设备，应用材料公司和 Lam Research 等美国公司已获得必要的出口许可证。HBM 的生产涉及一个复杂的过程，包括存储器件的制造和测试、基础模具和最终组装。

HBM2 具有卓越的带宽性能，具有 1024 位宽接口，每个引脚的数据传输速率约为 2 GT/s 至 3.2 GT/s。虽然其生产并不需要最先进的光刻技术，但由于 HBM DRAM 集成电路的尺寸比标准商品 DRAM 更大，因此需要大量的生产能力。

生产 HBM 所需的先进封装技术是一项重大挑战。该工艺涉及使用小型硅通孔 (TSV) 垂直连接八个或十二个存储器件。尽管如此复杂，组装类似于 HBM 的已知良好堆叠裸片 (KGSD) 模块的难度却低于使用 10 纳米工艺技术制造 DRAM 器件的难度。

尽管值得注意，但 CXMT 所取得的成就仍然落后于美光、三星和 SK 海力士等全球竞争对手。这些行业领先企业目前正在大规模生产 HBM3和 HBM3E内存，并计划开始生产 HBM4计划在不久的将来开始生产具有 2048 位接口的 HBM4。

对于中国的科技产业来说，国产 HBM2 的生产代表着一个重要的进步。这种内存技术对于先进的人工智能和高性能计算处理器（如华为的 Ascend 910 系列）来说至关重要，凸显了它在中国追求技术自给自足过程中的重要性。