三星 HBM4 内存进入试生产阶段，预计 2025 年底实现量产

三星电子已完成其下一代高带宽内存（HBM4）的逻辑芯片设计，并启动了 4 纳米试生产。下一代高带宽内存（HBM4）的逻辑芯片设计工作，并启动了 4 纳米试生产，标志着三星电子向 2025 年下半年量产迈出了一大步。更新后的时间表比原来的 2026 年计划提前了约六个月，这有可能使三星获得 Nvidia 未来 GPU 平台的关键订单。

有消息称，三星的存储部门已经完成了逻辑芯片的设计，而其代工部门正在努力进行 4 纳米试运行。HBM4 的生产在专门的 D1c 工厂进行，该工厂采用先进的 10 纳米 DRAM 工艺。为了加快进度，三星甚至跳过了通常的 D1b 开发阶段。

在 ISSCC 2024 上分享的技术细节显示，HBM4 将大幅提升性能，数据传输速率高达 2 TB/s，比 HBM3E 快约 66%。它还将支持运行速度为 6.4 GT/s 的 2048 位接口，并将容量提升至 48 GB，比当前一代产品大 33%。

与此同时，三星在 HBM 领域的最大竞争对手 SK 海力士据说也在快速开发 HBM4，以实现 2025 年的目标。韩华投资证券公司（Hanwha Investment & Securities）的分析师预计，SK 海力士将保持其市场份额的领先地位，并有可能率先向客户交付 HBM4 样品。

除英伟达外，三星也在为微软和 Meta 定制 HBM4 产品。这种内存技术在 Nvidia 即将于 2026 年推出的 "Rubin "GPU 平台中起着至关重要的作用，该平台将采用 8 个 HBM4 芯片，并依赖于台积电的 3 纳米工艺。

三星目前的 HBM 产品阵容已经乘势而上。2024 年第三季度的销售额比上个月激增了 70% 以上。包括 8 层和 12 层版本在内的 HBM3E 产品已进入量产阶段，预计到 2024 年底将占三星 HBM 总销量的一半左右。