英特尔利用新型 High-NA EUV 光刻机加工 30,000 片晶圆

英特尔最近英特尔公司最近成功地将两台最先进的 ASML High-NA EUV 光刻机集成到其生产线上，据说与以前的机型相比，可靠性更高。英特尔公司的顶级工程师 Steve Carson 分享说，该公司使用这些先进系统仅一个季度就处理了 30,000 个晶圆。

去年，英特尔成为业内首家接收 High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 光刻工具的公司，并将其安装在俄勒冈州希尔斯伯勒附近的 D1 开发工厂。尽管 ASML 将这些设备视为预生产工具，并不完全是为大批量生产而设计的，但英特尔的早期成果相当令人鼓舞。

这种快速采用标志着英特尔的战略转变。过去，他们在推出前一代极紫外光刻设备时落后于竞争对手，花了整整七年时间才将其投入生产。这一延误是英特尔在制造方面被台积电甩开的原因之一。

新型 High-NA 机器带来了一些显著的技术优势。它们可以在一次曝光中实现低至 8 纳米的分辨率，比旧式低 DNA 系统的 13.5 纳米分辨率有所提高。这意味着过去需要三次曝光和大约 40 个处理步骤的任务，现在只需一次曝光和几个步骤即可完成。

目前，英特尔正在利用其 18A 制造技术对这些 High-NA 工具进行测试，并计划将它们与即将推出的 14A（或 1.4 纳米级）技术一起投入全面生产。他们已经计划在今年晚些时候量产采用 18A 技术的新一代 PC 芯片，但 14A 技术的推出仍处于保密阶段。