优于 NAND：开发出快速、经济的存储器

铪的铁电特性与其他元素相结合，使其成为一种很有前途的存储卡和固态硬盘材料。

与 NAND 闪存等采用计数电脉冲处理单个区段的方法不同，这种半导体在施加电场时可以改变其极化。利用这一原理可以更快、更高效地访问只读存储器的不同区域。

只是以前施加电压的带宽太低。通过在所使用的氧化铪中添加铝，可以将可能的电压窗口从 2 伏特扩展到 10 伏特。

这样就有可能构建出在每个晶体管中存储 4 位的四电平单元 (QLC)。这意味着在一个单元中总共可以存储 16 种不同的状态。采用这种架构，可以在最小的芯片上存储数 TB 的数据。而在合适的固态硬盘上，最终存储的数据量会更大。

除了更快地访问这些信息外，所需的电压也比 NAND 闪存低。系统的工作电压不再是以前所需的 18 伏，而是上述的 10 伏。这也进一步降低了写入和读取所需的功率。

初步耐久性测试表明，实际开发工作已经取得了很大进展。根据这项研究，单个电池已经完成了 100 万次访问。这项研究由三星公司共同资助绝非偶然。

目前只剩下一个问题，那就是所使用的铪。尽管铪铝氧化物的电气性能很好，但这种元素非常稀有。虽然铪比金更为常见，但它实际上并不是一种纯矿物。

相反，它存在于其他矿物中的微量元素中，因此极难开采。毕竟，每个电池只需要不到 25 纳米厚的一层。如果到那时还没有找到替代材料，这种超快、超大、超高效的存储器也会变得相当昂贵。