Numemory 的 128 Gb 存储级内存芯片填补了英特尔 Optane 的空白

中国芯片初创公司 Numemory 正在拓宽其存储级内存（SCM）产品线。其存储级内存 (SCM) 产品线，推出了 128 千兆位（16 GB）单级单元内存芯片 NM102。与 2023 年 9 月推出的第一代 64 Gb NM101 相比，这款新芯片的容量有了大幅提升。

该公司总部位于武汉，正式名称为新存科技，其生产的这些内存芯片将 DRAM 的性能与 NAND 闪存的优势结合在一起。NM102 仍使用标准的 3200 MT/s NAND 接口和 1.2V 输入/输出电压，与旧型号一样，但现在它的存储容量增加了一倍。

Numemory 的技术旨在实现微秒级的响应时间，介于 DRAM 快如闪电的纳秒级速度和传统 NAND 闪存的较慢速度之间。大多数现代 3D TLC NAND 芯片的读取时间约为 80 微秒，写入时间为数百微秒。

这些新芯片可用作固态硬盘的构建模块，但其较低的单芯片容量可能会成为主流外形尺寸的一个障碍。例如，M.2-2280 固态硬盘需要大量这种芯片才能达到有竞争力的容量，因为每侧只能安装四个内存包。

Numemory 公司成立于 2022 年 7 月，目前拥有约 220 名员工，其中约 80% 从事研发工作。尽管该公司尚未透露有关如何制造这些芯片或技术细节的许多细节，但这一进展标志着中国在推动半导体自给自足方面又迈出了一步。在英特尔公司的 Optane 内存等类似技术已不复存在的情况下，这一点就更值得注意了。