Nvidia GeForce RTX 50 系列 Blackwell GPU 将在台积电的 4NP 节点上制造
Kopite7kimi 是一位有着无懈可击记录的泄密者，他透露了一些关于 GB202、GB203 和 GB205 GPU下一代GeForce RTX 5090、RTX 5080 和 RTX 5070 的 GPU 的一些信息。在 Nvidia 展示其旗舰产品 GB100 GPU后不久，Kopite7kimi 证实GeForce RTX 50 系列将采用相同的台积电 4NP（不要与 N4P 混淆）节点制造。
泄密者还说，4NP 节点应能使晶体管密度提高 30%。这明显高于 N4 和 N4P 之间 6% 的晶体管密度提升。对于 Nvidia 来说，使用增强版的定制节点（4N）而不是在 N3B 和 N3E 等尖端替代品上争夺产能是合情合理的。至于 Nvidia 能否在不影响良率的情况下将芯片尺寸控制在 EUV 网罩限制（856 平方毫米）范围内，还有待观察。
Kopite7kimi 补充道GB202（和其他 Blackwell GPU）的每个 SM（流式多处理器）都可能获得更大的一级缓存。这可能是 SM 整体重新设计的一部分，泄密者称这将提高每个 SM 的吞吐量。由于整个 GB3202 芯片将配备 192 个 SM，因此 GeForce RTX 5090可能会真正实现传闻中的 2.6的性能提升。
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