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Magyar三星 SD Express microSD 卡可能为 Nintendo Switch 2 带来巨大的存储缓冲区
大部分新闻 新闻最近，有关任天堂 Switch 2 的大部分新闻都是关于广为流传的发售延迟，2025 年 3 月显然是 Switch 后继机最有可能出现的时间框架。许多人期待任天堂现在就能宣布或展示其下一代混合游戏机，但这一消息并未得到积极回应。幸运的是，三星算是来救场了，它的一则公告引发了新的 Switch 2 猜测（通过Reddit)，应该会引起一些兴奋。
官方新闻稿显示，256 GB SD Express microSD 卡样本的连续读取速度 "高达 "800 MB/s。虽然这一速度可能会让 PS5 和 Xbox Series X 的用户脸上露出得意的笑容，但与最初的任天堂 Switch 游戏机（您可以在亚马逊上购买 OLED 型号）相比，这仍然是一个巨大的飞跃，当然，前提是这项技术会应用到 Switch 2 上。任天堂建议玩家可以预期 Switch 的传输速度为 60 至 95 MB/s--因此跃升至 800 MB/s 将会非常明显。但为什么三星的这份新闻稿会首先与任天堂 Switch 2 联系在一起呢？
正如 redditor u/anirakdream 所指出的那样，新闻稿中有一句话很容易与任天堂联系起来："这次开发是与客户成功合作的结果，目的是打造一款定制产品"。当然，这也可能与其他一些公司有关，它们也会从这种高速 SD 卡中受益，比如手机制造商和相机公司。不过，该卡的尺寸和 "针对高性能和热管理进行了优化 "的说法无疑也指向了类似于 任天堂 Switch 2游戏机。
人们预计，Switch 的后继机将在存储方面大显身手，因为这显然是任天堂能为粉丝们带来惊喜的一个领域。正如 Reddit上的同一帖子所指出的那样，拥有如此先进的存储技术就能解释为什么任天堂会推出 Switch 2。的帖子中所称的 演示的硬件能够处理《塞尔达传说：荒野之息》和《黑客帝国觉醒》。三星的 256 GB SD Express microSD 卡将在 "今年晚些时候 "发售，1 TB 版本将在第三季度推出。
三星新型 microSD 卡为移动计算和设备上人工智能的新时代带来高性能和大容量
韩国，2024年2月28日音频播放/停止分享打开/关闭打印
三星出样业界首款 256GB SD Express microSD 卡，速度比当前接口快四倍以上
三星基于最新 V-NAND 技术的 1TB UHS-1 microSD 卡开始量产
三星电子（Samsung Electronics）、世界领先的先进存储技术厂商三星电子今天宣布，其连续读取速度高达每秒 800 兆字节 (MB/s) 的 256-Gigabyte (GB)1 SD Express2 microSD 卡已开始出样，1-TB(TB)3 UHS-1 microSD 卡也已开始量产。随着新一代 microSD 卡阵容的推出，三星旨在为未来的移动计算和设备上人工智能应用提供所需的差异化内存解决方案。
"通过我们的两款新型 microSD 卡，三星为满足移动计算和设备上人工智能日益增长的需求提供了有效的解决方案，"三星电子内存品牌产品商务团队副总裁 Hangu Sohn 说。"尽管这些存储卡的尺寸很小，但却能提供类似固态硬盘的强大性能和容量，帮助用户从要求苛刻的现代和未来应用中获得更多。"
业界首款 SD Express microSD 卡最高速度达 800 MB/s
三星在业界首次推出了基于 SD Express 接口的新型高性能 microSD 卡。
由于采用了低功耗设计以及针对高性能和热管理进行了优化的固件技术，三星的 SD Express microSD 卡以小巧的外形提供了与固态硬盘相当的性能。
三星 SD Express microSD 卡的连续读取速度高达 800MB/s，是 SATA 固态硬盘（最高 560MB/s）的 1.4 倍，是传统 UHS-1 存储卡（最高 200MB/s）的 4 倍多，从而改善了包括个人电脑和移动设备在内的各种应用的计算体验。为了确保小尺寸存储卡的稳定性能和可靠性，动态热保护（DTG）技术即使在长时间使用过程中也能保持 SD Express microSD 卡的最佳温度。
1TB UHS-1 microSD 卡采用最先进的 1Tb V-NAND
三星新推出的 1TB microSD 卡在 microSD 外形中堆叠了八层公司的第八代 1Tb (Tb) V-NAND，实现了过去只有固态硬盘才能实现的大容量封装。新的 1TB microSD 卡通过了业界最严格的测试设置，即使在具有挑战性的环境中也能可靠使用，具有防水、耐极端温度、防摔设计、防磨损以及 X 射线和磁性保护等功能。
上市时间
256GB SD Express microSD 卡将于今年晚些时候上市，1TB UHS-1 microSD 卡将于今年第三季度上市。
1 1 gigabyte (GB) = 1,000,000,000 bytes (10 亿字节)。实际可用容量可能有所不同。
2 SD Express：采用 PCIe Gen3x1 的新 SD 卡接口（基于 2019 年 2 月发布的 SD 7.1 规范），SD Express 卡的理论传输速度为 985MB/s
3 1 太字节 (TB) = 1,000,000,000,000 字节（1 万亿字节）。实际可用容量可能有所不同
4 三星公司对存储卡数据恢复所造成的任何损害和/或数据丢失或费用不承担任何责任。所声称的六项证明仅适用于 1TB UHS-1 microSD 卡，不适用于 256GB SD Express microSD 卡。1M 深度，盐水，72 小时。工作温度为 -25℃ 至 85℃ （-13°F 至 185°F），非工作温度为 -40℃ 至 85℃ （-40°F 至 185°F）。可承受标准的机场 X 光机（高达 100mGy）。磁场强度相当于高磁场核磁共振扫描仪（高达 15,000 高斯）。可承受高达 5 米（16.4 英尺）的跌落。最多可扫描 10,000 次。
