SK Hynix开始量产238层4D NAND内存，20%的PCIe 5.0 NVMe SSD速度即将到来
PCIe 5.0NVMe SSDs现已上市。库存有限，有望将速度提高一倍。 4.0型号的两倍。.现实情况是，新标准需要 额外的冷却而现有的NAND内存芯片也很难跟上PCIe 5.0的带宽。即使是目前最快的解决方案，如Crucial T700也只能达到12.4GB/s，与14GB/s的理论最高速度仍有不小差距。这种限制主要来自内存芯片本身，而不是PCIe控制器。值得庆幸的是，SK海力士最近进入大规模生产的238层4D NAND芯片应该很快就能消除瓶颈。
高级智能手机和消费者NVMe固态硬盘将很快受益于新的238层4D NAND芯片，因为这家韩国公司刚刚宣布新的内存类型在5月底进入量产。SK海力士声称，238层型号是迄今为止最小的NAND芯片，比上一代176层芯片的制造效率提高了34%。整体生产成本应保持相似，而有竞争力的价格和预计的需求应推动2023年下半年的收益改善。
每个拥有238层的新芯片可以达到2.4Gbps的数据传输速度，这意味着存储解决方案的读写速度提高了约20%。有了这种提升，PCIe 5.0 NVMe固态硬盘将能更稳定地达到14GB/s。SK海力士目前正在测试与全球智能手机制造商的产品兼容性，该公司将在2023年下半年初开始出货新芯片。
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