SK Hynix 展示 321 层 1 Tb TLC NAND 内存芯片
SK Hynix 将在 8 月 8 日至 10 日于美国圣克拉拉举行的 2023 年闪存峰会（FMS）上展示首款 321 层 1 Tb TLC 4D NAND 闪存芯片。这种先进的存储器仍在开发中，但这家韩国公司预计将于 2025 年上半年开始量产。
即将推出的第五代 4D NAND 321 层 1 Tb 芯片具有一系列优势，包括单芯片容量比目前的 238 层 512 Gb 增加了 59 第五代 4D NAND 321 层 1 Tb 芯片带来了一系列优势，包括单个芯片容量比目前的 238 层 512 Gb 芯片提高了 59%。SK海力士将继续改进单元堆叠工艺。为了充分利用先进的 321 层 1 Tb 芯片的优势，SK Hynix 已经在开发下一代 PCIe 6.0和 UFS 5.0 解决方案，这些解决方案将主要面向 生成式人工智能市场。
随着 238 层 512 Gb 芯片的满负荷生产，SK Hynix 还将推出新的 PCIe 5.0和 UFS 4.0针对人工智能工作负载优化的高性能、大容量企业解决方案。
通过每两年发布一代新的 NAND 存储器芯片，SK Hynix 希望巩固其在 NAND 领域的技术领先地位，并承诺将不断追求创新，以满足人工智能时代日益增长的需求。
