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SK Hynix 展示 321 层 1 Tb TLC NAND 内存芯片

321 层 1 Tb NAND 芯片(图片来源:SK Hynix)
321 层 1 Tb NAND 芯片(图片来源:SK Hynix)
即将推出的 1 Tb TLC 4D NAND 芯片有 321 层,比目前的 238 层芯片容量增加了一倍,预计将于 2025 年与 PCIe 6.0 和 UFS 5.0 设备一起推出。
Storage

SK Hynix 将在 8 月 8 日至 10 日于美国圣克拉拉举行的 2023 年闪存峰会(FMS)上展示首款 321 层 1 Tb TLC 4D NAND 闪存芯片。这种先进的存储器仍在开发中,但这家韩国公司预计将于 2025 年上半年开始量产。

即将推出的第五代 4D NAND 321 层 1 Tb 芯片具有一系列优势,包括单芯片容量比目前的 238 层 512 Gb 增加了 59 第五代 4D NAND 321 层 1 Tb 芯片带来了一系列优势,包括单个芯片容量比目前的 238 层 512 Gb 芯片提高了 59%。SK海力士将继续改进单元堆叠工艺。为了充分利用先进的 321 层 1 Tb 芯片的优势,SK Hynix 已经在开发下一代 PCIe 6.0和 UFS 5.0 解决方案,这些解决方案将主要面向 生成式人工智能市场。

随着 238 层 512 Gb 芯片的满负荷生产,SK Hynix 还将推出新的 PCIe 5.0UFS 4.0针对人工智能工作负载优化的高性能、大容量企业解决方案。

通过每两年发布一代新的 NAND 存储器芯片,SK Hynix 希望巩固其在 NAND 领域的技术领先地位,并承诺将不断追求创新,以满足人工智能时代日益增长的需求。

 

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Bogdan Solca, 2023-08-10 (Update: 2023-08-10)