三星的计算方法为下一代 SOM 存储器锁定了 18 种共卤化物材料

三星公司正在以一种巧妙的方式推进只选存储器 (som) 技术的开发。他们的研究团队研究了 4000 多种不同的材料组合，最终筛选出 18 种有希望用于实际测试的材料。

som 技术可能是设计存储器领域的一次巨大飞跃，它结合了两个世界的优点：既有闪存的非易失性优势，又能保持 dram 的速度。它使用卤化镓材料同时充当存储单元和选择器，摒弃了更常见的相变或电阻式 ram 设置中对独立晶体管的需求。

他们关注的重点是阈值电压的漂移程度和内存窗口的稳定性，这基本上意味着它能在多大程度上保持开启和关闭状态的不同。

三星公司将在今年 12 月于旧金山举行的国际电子器件会议上展示这些研究成果。他们认为，这种计算方法可能会让他们发现传统实验室测试可能忽略的高性能材料。

这一切都建立在三星早前在 IEDM 2023 上所做工作的基础上，他们在 IEDM 2023 上展示了一款基于 64Gbit OTS 的 SOM，采用了 16nm 的微小存储单元。